锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BF511,215
NXP(恩智浦) 分立器件

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 20V 30MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
This BF511,215 JFET transistor from NXP Semiconductors is an uni-polar voltage-controlled device that has a very high input electrical resistance. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BF511,215  RF FET Transistor, 20 V, 7 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CHAN 20V SOT-23


BF511,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 30 mA

击穿电压 20.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

测试电流 5 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BF511,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF511,215
型号 制造商 描述 购买
BF511,215 NXP 恩智浦 N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存
替代型号BF511,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF511,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB N-Channel 250mW

当前型号

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

当前型号

型号: BF512,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT23 250mW

完全替代

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BF511,215和BF512,215的区别

型号: BF556A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB 250mW

类似代替

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BF511,215和BF556A,215的区别

型号: BF556B,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3

类似代替

MOSFET N-CH 30V 10mA SOT23

BF511,215和BF556B,215的区别