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BCP54,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BCP54,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE

Semiconductors has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1350 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

BCP54,115中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 960 mW

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BCP54,115引脚图与封装图
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在线购买BCP54,115
型号 制造商 描述 购买
BCP54,115 NXP 恩智浦 NXP  BCP54,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE 搜索库存
替代型号BCP54,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP54,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-261-4 NPN 1350mW

当前型号

NXP  BCP54,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE

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型号: BCP54,135

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 NPN 1350mW

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