频率 100 MHz
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 220 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847BPN,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC847BPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 220 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847BPN,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-363 NPN 400mW | 当前型号 | NXP BC847BPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 220 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 | 当前型号 | |
型号: BC847BS,115 品牌: 恩智浦 封装: 6-TSSOP NPN 400mW | 类似代替 | NXP BC847BS,115 双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 220 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 | BC847BPN,115和BC847BS,115的区别 | |
型号: BC847BPDW1T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 NPN 45V 1A 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G. 晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847BPN,115和BC847BPDW1T1G的区别 | |
型号: BC847BS-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-363 NPN 200mW | 功能相似 | BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363 | BC847BPN,115和BC847BS-7-F的区别 |