BLP25M705Z
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
主动器件
耗散功率 5 W
漏源极电压Vds 65 V
输出功率 5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
引脚数 12
封装 SOT1179-2
封装 SOT1179-2
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BLP25M705Z | NXP 恩智浦 | NXP BLP25M705Z 晶体管, 射频场效应管, MOSFET, N沟道, 65V, 12路, HVSON EP | 搜索库存 |