BSD235C H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSD235C H6327中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 47pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.10 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSD235C H6327引脚图与封装图
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在线购买BSD235C H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSD235C H6327 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSD235C H6327 场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6 | 搜索库存 |