频率 170 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 160 @500mA, 1V
额定功率Max 650 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP68-25,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCP68-25,115 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP68-25,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT223 NPN 1350mW | 当前型号 | NXP BCP68-25,115 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFE | 当前型号 | |
型号: BCP68-25,135 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | TRANS NPN 20V 1A SOT223 | BCP68-25,115和BCP68-25,135的区别 | |
型号: BCP68T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 20V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP68T1G 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE | BCP68-25,115和BCP68T1G的区别 |