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BCR183SH6433XTMA1

BCR183SH6433XTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363


安富利:
AF DIGITAL TRANSISTORS


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO


BCR183SH6433XTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR183SH6433XTMA1引脚图与封装图
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