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BFP780H6327XTSA1

BFP780H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, 85 hFE

RF NPN 6.1V 120mA 900MHz 600mW 表面贴装型 SOT343-4-2


得捷:
RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343


欧时:
Infineon BFP780H6327XTSA1


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, 85 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


安富利:
RF BIP TRANSISTORS


Verical:
Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Win Source:
RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 / RF Transistor NPN 6.1V 120mA 900MHz 600mW Surface Mount PG-SOT343-4-1


BFP780H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 6.1 V

增益 27 dB

最小电流放大倍数hFE 85 @90mA, 5V

额定功率Max 600 mW

直流电流增益hFE 85

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 WLAN, WiMAX, WLL and MMDS, Auto, Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS, 2nd or 3rd stage LNA in the receive chain, UHF television, CATV, DBS, ISM, AMR, High linearity driver or pre-driver in the transmit chain, Repeaters, Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFP780H6327XTSA1引脚图与封装图
BFP780H6327XTSA1引脚图

BFP780H6327XTSA1引脚图

BFP780H6327XTSA1封装图

BFP780H6327XTSA1封装图

BFP780H6327XTSA1电路图

BFP780H6327XTSA1电路图

BFP780H6327XTSA1封装焊盘图

BFP780H6327XTSA1封装焊盘图

在线购买BFP780H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BFP780H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 晶体管 双极-射频, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, 85 hFE 搜索库存