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BSR802N L6327

BSR802N L6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSR802N L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

立创商城:
N沟道 20V 3.7A


欧时:
### Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


儒卓力:
**N-CHAN.-FET 3.7A 20V SC59SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59


BSR802N L6327中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 550 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1447pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.1 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSR802N L6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSR802N L6327 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSR802N L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV 搜索库存