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BUZ905P
Semelab 分立器件

SEMELAB  BUZ905P  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -160 V, 1.5 ohm, -1.5 V

The is a -160V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET with high speed switching and integral protection diode designed for use in audio applications.

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High energy rating
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60ns Turn-off time
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120ns Turn-on time

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -8 A, -160 V, 1.5 ohm, -1.5 V


BUZ905P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 160 V

漏源击穿电压 160 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Obsolete

制造应用 音频, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BUZ905P引脚图与封装图
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