BSR30,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSR30,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 5V
额定功率Max 1.35 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSR30,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSR30,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSR30,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-89 PNP 1350mW | 当前型号 | NXP BSR30,115 双极性晶体管, PNP | 当前型号 |
| 型号： BSR30 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89 PNP | 功能相似 | NXP BSR30 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 30 hFE 新 | BSR30,115和BSR30的区别 |