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BUK961R4-30E

BUK961R4-30E

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NXP 恩智浦 分立器件

D2PAK N-CH 30V 120A

The is a N-channel logic level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

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Repetitive avalanche rated
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Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
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True logic level gate with VGS th rating of greater than 0.5V at 175°C
BUK961R4-30E中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.001 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 357 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 120A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Automation & Process Control, Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BUK961R4-30E引脚图与封装图
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