BZX84C9V1-V-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZX84C9V1-V-GS08中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX84C9V1-V-GS08引脚图与封装图
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在线购买BZX84C9V1-V-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX84C9V1-V-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE 9.1V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode | 搜索库存 |
替代型号BZX84C9V1-V-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX84C9V1-V-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 | 当前型号 | DIODE 9.1V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode | 当前型号 |
| 型号： BZX84C9V1LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 9.1V | 类似代替 | 225mW，BZX84BxxxLT 和 BZX84CxxxLT 系列，On Semiconductor齐纳电压容差为 2% BZX84B 和大约 5% BZX84C 表面安装外壳：SOT-23 ### Zener Diodes, ON Semiconductor | BZX84C9V1-V-GS08和BZX84C9V1LT3G的区别 |
| 型号： BZX84C9V1LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 9.1V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BZX84C9V1LT1G 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C | BZX84C9V1-V-GS08和BZX84C9V1LT1G的区别 |
| 型号： BZX84C9V1-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 9.1V | 功能相似 | BZX84C9V1 系列 350 mW 9.1 V 10 mA 表面贴装 齐纳二极管 - SOT-23 | BZX84C9V1-V-GS08和BZX84C9V1-7-F的区别 |