BC847BDW1T3
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
BC847BDW1T3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 380 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC847BDW1T3引脚图与封装图
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在线购买BC847BDW1T3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BDW1T3 | ON Semiconductor 安森美 | SC-88 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC847BDW1T3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC847BDW1T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 45V 100mA 380mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新 | BC847BDW1T3和BC847BDW1T3G的区别 |
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