BZD27C27P-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZD27C27P-GS08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 32 V
耗散功率 800 mW
测试电流 25 mA
稳压值 27 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.9 mm
高度 0.98 mm
封装 DO-219AB
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BZD27C27P-GS08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C27P-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C27P-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 搜索库存 |
替代型号BZD27C27P-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C27P-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD123/1206 32V | 当前型号 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 当前型号 |
| 型号： BZD27C27P 品牌： 台湾半导体 封装： SMD | 功能相似 | TAIWAN SEMICONDUCTOR BZD27C27P 单管二极管 齐纳, 27 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C | BZD27C27P-GS08和BZD27C27P的区别 |