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BFG520W/X,115

BFG520W/X,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN

射频双极,Nexperia

### 双极晶体管,Nexperia


欧时:
NXP BFG520W/X,115 , NPN 射频双极晶体管, 70 mA, Vce=15 V, HFE:60, 9000 MHz, 4引脚 SOT-343封装


得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO


贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN 70MA 15V 9GHZ


e络盟:
NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN


艾睿:
With this BFG520W/X,115 RF amplifier from NXP Semiconductors your circuit will be operating at high RF frequencies. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.


安富利:
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.07A 4-Pin 3+Tab SO T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.07A 500mW 4-Pin SO T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N


Win Source:
TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N


BFG520W/X,115中文资料参数规格
技术参数

频率 9000 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 500 mW

增益频宽积 9000 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 16dB ~ 17dB

最小电流放大倍数hFE 60 @20mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFG520W/X,115引脚图与封装图
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在线购买BFG520W/X,115
型号 制造商 描述 购买
BFG520W/X,115 NXP 恩智浦 NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN 搜索库存
替代型号BFG520W/X,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFG520W/X,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-343N NPN 500mW

当前型号

NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN

当前型号

型号: BFG520W/X

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors

BFG520W/X,115和BFG520W/X的区别