BQ4014MB-120

TI(德州仪器) 电子元器件分类

256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 120ns 32-DIP Module 18.42x52.96

得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

BQ4014MB-120中文资料参数规格

技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BQ4014MB-120引脚图与封装图

BQ4014MB-120引脚图

BQ4014MB-120封装图

BQ4014MB-120封装焊盘图

在线购买BQ4014MB-120

型号	制造商	描述	购买
BQ4014MB-120	TI 德州仪器	256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM	搜索库存