BCP56,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCP56,115中文资料参数规格
技术参数
频率 180 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 960 mW
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 960 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业, Automotive, 音频, Audio
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCP56,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCP56,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP56,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-73 NPN 960mW | 当前型号 | NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： BCP56-10,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN | 完全替代 | SC-73 NPN 80V 1A | BCP56,115和BCP56-10,135的区别 |
| 型号： BCP56-10,115 品牌： 恩智浦 封装： TO-261-4 NPN 960mW | 类似代替 | NXP BCP56-10,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE | BCP56,115和BCP56-10,115的区别 |
| 型号： BCP56T/R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 80V 1A | 类似代替 | TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Power | BCP56,115和BCP56T/R的区别 |