BSS138PS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BSS138PS,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 960 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.32A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 420 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 420 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSS138PS,115引脚图与封装图
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在线购买BSS138PS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS138PS,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSS138PS,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |
替代型号BSS138PS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS138PS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 Dual N-Channel 60V 0.32A | 当前型号 | NXP BSS138PS,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V | 当前型号 |
| 型号： BSS138PS 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 Dual N-Channel 60V 0.32A | 功能相似 | NXP BSS138PS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V | BSS138PS,115和BSS138PS的区别 |