
容差 ±5 %
额定功率 1 W
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1 W
测试电流 5 mA
稳压值 4.7 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.4 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV49-C4V7,115 | NXP 恩智浦 | SOT-89 4.7V 1W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV49-C4V7,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: UPAK | 当前型号 | SOT-89 4.7V 1W | 当前型号 | |
型号: BZV49-C4V7 品牌: 恩智浦 封装: SOT-89 | 功能相似 | 1W,BZV49 系列,NXP Semiconductors### 齐纳二极管,NXP Semiconductors | BZV49-C4V7,115和BZV49-C4V7的区别 | |
型号: BZV49C4V7 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | Zener Diode, 4.7V VZ, 5%, 1W, Silicon, Unidirectional | BZV49-C4V7,115和BZV49C4V7的区别 |