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BSO615C G
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSO615C G  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

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Complementary p- + n-channel
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Enhancement mode
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Avalanche rated
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Qualified according to AEC Q101
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100% lead-free; RoHS compliant

立创商城:
BSO615C G


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A Automotive 8-Pin DSO


儒卓力:
**N+P CH -60/60V -2/3,1A SO-8 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC


BSO615C G中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.10 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 380 pF

栅电荷 22.5 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

输入电容Ciss 380pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSO615C G引脚图与封装图
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在线购买BSO615C G
型号 制造商 描述 购买
BSO615C G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSO615C G  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存