BSC123N10LS G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC123N10LS G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
阈值电压 1.85 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3700pF @50VVds
额定功率Max 114 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON
外形尺寸
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSC123N10LS G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC123N10LS G | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSC123N10LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 V | 搜索库存 |