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BF545C,215

BF545C,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

NXP  BF545C,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 25MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10MA


e络盟:
射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23


艾睿:
Trans JFET N-CH 30V Si 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 25mA 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
BF545C 系列 30 V 250 mW N沟道 硅 结型场效应晶体管


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 25mA 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 30V Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BF545C,215  RF FET Transistor, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CHAN 30V SOT-23


Win Source:
JFET N-CH 30V 25MA SOT23


BF545C,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 25 mA

击穿电压 -30.0 V

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BF545C,215引脚图与封装图
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在线购买BF545C,215
型号 制造商 描述 购买
BF545C,215 NXP 恩智浦 NXP  BF545C,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23 搜索库存
替代型号BF545C,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF545C,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

当前型号

NXP  BF545C,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23

当前型号

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封装: TO-226-3

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品牌: 恩智浦

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型号: BF545CT/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 30V 6.5mA

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