BC847BW,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BC847BW,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 音频, Signal Processing, Industrial, Audio
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BC847BW,115引脚图与封装图
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在线购买BC847BW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BW,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC847BW,115 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC847BW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847BW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-323 NPN 200mW | 当前型号 | NXP BC847BW,115 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC850BW,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 NPN 200mW | 完全替代 | SC-70 NPN 45V 0.1A | BC847BW,115和BC850BW,115的区别 |
| 型号： BC850BW,135 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 NPN 200mW | 完全替代 | SC-70 NPN 45V 0.1A | BC847BW,115和BC850BW,135的区别 |