BSN20,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSN20,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 173 mA
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSN20,215引脚图与封装图 
BSN20,215引脚图
BSN20,215封装焊盘图
在线购买BSN20,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSN20,215 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号BSN20,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSN20,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 50V 173mA | 当前型号 | N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： BSN20 品牌： 恩智浦 封装： SOT23-3 N-Channel 50V 173mA | 类似代替 | MOS场效应管/BSN20 | BSN20,215和BSN20的区别 |
| 型号： BSN20,235 品牌： 恩智浦 封装： SOT23 N-CH 50V 0.173A | 类似代替 | BSN20 - N沟道TrenchMOS极低电平FET | BSN20,215和BSN20,235的区别 |
| 型号： BSN20BKR 品牌： 安世 封装： TO-236AB | 功能相似 | BSN20BKR 编带 | BSN20,215和BSN20BKR的区别 |