BFR 193 E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFR 193 E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 65.0 mA
额定功率 0.58 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 580 mW
输入电容 2.25 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10dB ~ 15dB
最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
额定功率Max 580 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 580 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BFR 193 E6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFR 193 E6327 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BFR 193 E6327 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE | 搜索库存 |