BD82000FVJ-LBE2
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
输出接口数 1
耗散功率 587.5 mW
上升时间 800 µs
输入电压Max 5.5 V
输入电压Min 2.7 V
输出电流Max 1 A
下降时间 5 µs
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 587.5 mW
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD82000FVJ-LBE2引脚图
BD82000FVJ-LBE2封装图
BD82000FVJ-LBE2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BD82000FVJ-LBE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Ic Switch Usb Hi Side 1CH 8tssop | 搜索库存 |