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BSZ123N08NS3 G

BSZ123N08NS3 G

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSZ123N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


立创商城:
N沟道 80V 10A


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8


DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8


BSZ123N08NS3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 10.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 66 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1700pF @40VVds

额定功率Max 66 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 66W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.4 mm

高度 1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSZ123N08NS3 G引脚图与封装图
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BSZ123N08NS3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSZ123N08NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V 搜索库存