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BAS 21 E6327

BAS 21 E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON BAS 21 E6327 Small Signal Diode, High Voltage, Single, 200V, 250mA, 1V, 50ns, 1A

The is a silicon Switching Diode features high breakdown voltage. Suitable for high-speed switching applications.

.
350mW Total power dissipation
.
250V Breakdown voltage
.
5pF Capacitance

Due to technical requirements, components may contain dangerous substances.

BAS 21 E6327中文资料参数规格
技术参数

反向恢复时间 50 ns

正向电流 250 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A

正向电压Max 1 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOD-323-2

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BAS 21 E6327引脚图与封装图
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在线购买BAS 21 E6327
型号 制造商 描述 购买
BAS 21 E6327 Infineon 英飞凌 INFINEON BAS 21 E6327 Small Signal Diode, High Voltage, Single, 200V, 250mA, 1V, 50ns, 1A 搜索库存
替代型号BAS 21 E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAS 21 E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23

当前型号

INFINEON BAS 21 E6327 Small Signal Diode, High Voltage, Single, 200V, 250mA, 1V, 50ns, 1A

当前型号

型号: BAS21,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

功能相似

NXP  BAS21,215  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

BAS 21 E6327和BAS21,215的区别