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BSC067N06LS3 G

BSC067N06LS3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC067N06LS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC067N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 50A 6.7mOhm TDSON-8 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8


BSC067N06LS3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 3800pF @30VVds

额定功率Max 69 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Alternative Energy, Power Management, Or-ing switches, Synchronous rectification, Industrial, Isolated DC-DC converters, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSC067N06LS3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC067N06LS3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC067N06LS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号BSC067N06LS3 G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC067N06LS3 G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TDSON N-Channel

当前型号

INFINEON  BSC067N06LS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号: TPCA8048-H

品牌: 东芝

封装: SOP N-Channel

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