
针脚数 3
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
引脚数 3
封装 TO-263
封装 TO-263
产品生命周期 Unknown
制造应用 Automation & Process Control, Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK9637-100E | NXP 恩智浦 | NXP BUK9637-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.031 ohm, 5 V, 1.7 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK9637-100E 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-263 N-Channel | 当前型号 | NXP BUK9637-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.031 ohm, 5 V, 1.7 V | 当前型号 | |
型号: STB35NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BUK9637-100E和STB35NF10T4的区别 | |
型号: STB40NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 100V 50A 24mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V | BUK9637-100E和STB40NF10T4的区别 |