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BFT92W,115

BFT92W,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

射频双极,Nexperia

### 双极晶体管,Nexperia


得捷:
RF TRANS PNP 15V 4GHZ SOT323-3


欧时:
NXP BFT92W,115 , PNP 晶体管, 25 mA, Vce=15 V, HFE:20, 4000 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 PNP 35MA 15V 4GHZ


e络盟:
NXP  BFT92W,115  射频晶体管, PNP


艾睿:
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 300mW 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
BFT9 系列 15 V 300 mW PNP 4 GHz 宽带 晶体管 表面贴装 SOT-323


Chip1Stop:
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 300mW 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 300mW 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  BFT92W,115  Bipolar - RF Transistor, Wideband, PNP, -15 V, 4 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE


RfMW:
Transistor


DeviceMart:
TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323


Win Source:
TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323


BFT92W,115中文资料参数规格
技术参数

频率 4000 MHz

额定功率 300 mW

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 17 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @15mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFT92W,115引脚图与封装图
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在线购买BFT92W,115
型号 制造商 描述 购买
BFT92W,115 NXP 恩智浦 NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号BFT92W,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFT92W,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 PNP 300mW

当前型号

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BFT93W,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 PNP 300mW

类似代替

射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

BFT92W,115和BFT93W,115的区别

型号: BFS20W,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 NPN

类似代替

SC-70 NPN 20V 0.025A

BFT92W,115和BFS20W,115的区别

型号: BFT92T/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 15V 25mA

类似代替

Trans GP BJT PNP 15V 0.025A 3Pin TO-236AB T/R

BFT92W,115和BFT92T/R的区别