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BC847W
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BC847W  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 180 hFE, SOT-323

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV

耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W

Description & Applications| FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.

描述与应用| 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大65 V)。 应用 •通用开关和放大。

BC847W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 90

直流电流增益hFE 180

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Audio, Signal Processing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BC847W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC847W NXP 恩智浦 NXP  BC847W  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 180 hFE, SOT-323 搜索库存
替代型号BC847W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847W

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-323 NPN

当前型号

NXP  BC847W  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 180 hFE, SOT-323

当前型号

型号: BC847W,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 NPN 200mW

功能相似

NXP  BC847W,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE

BC847W和BC847W,115的区别

型号: BZV55-B3V9,115

品牌: 恩智浦

封装: DO-213AC

功能相似

NXP  BZV55-B3V9,115  单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C

BC847W和BZV55-B3V9,115的区别