BCV49,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCV49,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 10000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 220 MHz
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCV49,115引脚图与封装图
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在线购买BCV49,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCV49,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCV49,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE | 搜索库存 |
替代型号BCV49,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCV49,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-89 NPN 1300mW | 当前型号 | NXP BCV49,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCV49,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89-3 NPN 1300mW | 完全替代 | SOT-89 NPN 60V 0.5A | BCV49,115和BCV49,135的区别 |
| 型号： BCV49TA 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 NPN 60V 500mA 1500mW | 功能相似 | DIODES INC. BCV49TA 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 170 MHz, 1 W, 500 mA, 10000 hFE | BCV49,115和BCV49TA的区别 |