BS170"D26Z
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BS170"D26Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92
外形尺寸
封装 TO-92
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
BS170"D26Z引脚图与封装图
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在线购买BS170"D26Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BS170"D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170"D26Z 场效应管, MOSFET, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号BS170"D26Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BS170"D26Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 1.2Ω | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170"D26Z 场效应管, MOSFET, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： BS170 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 5ohms | 完全替代 | N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BS170"D26Z和BS170的区别 |