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BCP69,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BCP69,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE

The is a 2A PNP Medium Power Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.

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High current
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Three current gain selections
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High power dissipation capability
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BCP69 marking code
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BCP68 PNP complement
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AEC-Q101 qualified
BCP69,115中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 650 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 50 @5mA, 10V

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 85

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BCP69,115引脚图与封装图
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在线购买BCP69,115
型号 制造商 描述 购买
BCP69,115 NXP 恩智浦 NXP  BCP69,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE 搜索库存
替代型号BCP69,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP69,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223 PNP 1350mW

当前型号

NXP  BCP69,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE

当前型号

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封装: TO-261-4 PNP 1350mW

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