BA 779 E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BA 779 E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 500 fF
输出电流 ≤50.0 mA
耗散功率 -
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BA 779 E6327引脚图与封装图
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在线购买BA 779 E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BA 779 E6327 | Infineon 英飞凌 | DIODE RF SW 50V 50mA SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号BA 779 E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BA 779 E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | DIODE RF SW 50V 50mA SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： BA885E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-236-3 | 完全替代 | Diode PIN Attenuator/Switch 50V 50mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R | BA 779 E6327和BA885E6327HTSA1的区别 |