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BSS138W L6433

BSS138W L6433

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 60V 280mA SOT-323

N-Channel 60V 280mA Ta 500mW Ta Surface Mount PG-SOT323-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3


BSS138W L6433中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3500 mΩ

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 43pF @25VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS138W L6433引脚图与封装图
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BSS138W L6433 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 60V 280mA SOT-323 搜索库存