BSC884N03MS G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC884N03MS G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 34 V
输入电容Ciss 2700pF @15VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC884N03MS G引脚图与封装图
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在线购买BSC884N03MS G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC884N03MS G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8Pin TDSON EP | 搜索库存 |
替代型号BSC884N03MS G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC884N03MS G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-PowerTDFN | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8Pin TDSON EP | 当前型号 |
| 型号： BSC883N03LSGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 34V 17A | 类似代替 | INFINEON BSC883N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 34 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.2 V 新 | BSC884N03MS G和BSC883N03LSGATMA1的区别 |