BSS209PW L6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSS209PW L6327中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 520 mW
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 89.9pF @15VVds
下降时间 5.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSS209PW L6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS209PW L6327 | Infineon 英飞凌 | MOSFET P-CH 20V 580mA SOT-323 | 搜索库存 |