BSB017N03LX3 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSB017N03LX3 G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.8W Ta, 57W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 7800pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
耗散功率Max 2.8W Ta, 57W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MG-WDSON-2
外形尺寸
封装 MG-WDSON-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
BSB017N03LX3 G引脚图与封装图
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在线购买BSB017N03LX3 G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB017N03LX3 G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 搜索库存 |
替代型号BSB017N03LX3 G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB017N03LX3 G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 3-WDSON | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 当前型号 |
| 型号： BSB014N04LX3 G 品牌： 英飞凌 封装： CanPAK-8 N-Channel | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7Pin WDSON | BSB017N03LX3 G和BSB014N04LX3 G的区别 |