额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.20 A
通道数 1
漏源极电阻 36 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.56 W
输入电容 600 pF
栅电荷 4.60 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 7.20 A
上升时间 2.2 ns
输入电容Ciss 600pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSO300N03S | Infineon 英飞凌 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSO300N03S 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SO-8 N-CH 30V 7.2A 600pF | 当前型号 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: NTMD4820NR2G 品牌: 安森美 封装: SOP8 N-Channel 30V 6.4A | 功能相似 | 30V,6.4A功率MOSFET | BSO300N03S和NTMD4820NR2G的区别 | |
型号: NDS9410A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 7.3A 28mohms | 功能相似 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | BSO300N03S和NDS9410A的区别 | |
型号: FDS9412 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 7.9A 22mohms 830pF | 功能相似 | 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | BSO300N03S和FDS9412的区别 |