BSC119N03S G

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 11.9A 8Pin TDSON EP

N-Channel 30V 11.9A Ta, 30A Tc 2.8W Ta, 43W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8

BSC119N03S G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 11.9 A

耗散功率 2.8W Ta, 43W Tc

输入电容 1.37 nF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 1370pF @15VVds

额定功率Max 43 W

耗散功率Max 2.8W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC119N03S G引脚图与封装图

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