BSC020N025S G

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

表面贴装型 N 通道 25 V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8-1

得捷:
MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

BSC020N025S G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 A

耗散功率 2.8W Ta, 104W Tc

输入电容 8.29 nF

栅电荷 66.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 8290pF @15VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC020N025S G引脚图与封装图

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