BSP300 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

表面贴装型 N 通道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4

Win Source:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

BSP300 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 17.0 A

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 2.32 nF

栅电荷 177 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP300 E6327引脚图与封装图

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BSP300 E6327	Infineon 英飞凌	Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R	搜索库存