BSP299 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

表面贴装型 N 通道 500 V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4

BSP299 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 400 mA

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 400 pF

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 400 mA

输入电容Ciss 400pF @25VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP299 E6327引脚图与封装图

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BSP299 E6327	Infineon 英飞凌	Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R	搜索库存