BSS127 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 600V 21mA SOT-23

N-Channel 600V 21mA Ta 500mW Ta Surface Mount SOT-23-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

BSS127 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 23.0 mA

耗散功率 500mW Ta

输入电容 28.0 pF

栅电荷 2.10 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 23.0 mA

输入电容Ciss 28pF @25VVds

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS127 E6327引脚图与封装图

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BSS127 E6327	Infineon 英飞凌	MOSFET N-CH 600V 21mA SOT-23	搜索库存