BSS123E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23

N-Channel 100V 170mA Ta 360mW Ta Surface Mount SOT-23-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

BSS123E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 170 mA

耗散功率 360mW Ta

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 170 mA

上升时间 5.00 ns

输入电容Ciss 69pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS123E6327引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BSS123E6327	Infineon 英飞凌	MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23	搜索库存

替代型号BSS123E6327

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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