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BSS209PW

BSS209PW

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.58A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.369Ω @-580mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 520mW/0.52W Description & Applications| • P-Channel • Enhancement mode • Super Logic Level 2.5 V rated • 150°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •超级逻辑电平（2.5 V额定） •150°C工作温度 •额定雪崩 •dv / dt的额定


得捷:
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323


BSS209PW中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -580 mA

耗散功率 520mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 89.9pF @15VVds

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS209PW引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS209PW Infineon 英飞凌 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor 搜索库存
替代型号BSS209PW
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSS209PW

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-323

当前型号

的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

当前型号

型号： BSS209PWL6327

品牌： 英飞凌

封装： SOT-323 P-CH 20V 0.58A

类似代替

SOT-323P-CH 20V 0.58A

BSS209PW和BSS209PWL6327的区别

型号： SI1303DL-T1-E3

品牌： Vishay Siliconix

封装： SOT-323

功能相似

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDSON 0.36Ω; ID -0.67A; SC-70 SOT-323; PD 0.29W

BSS209PW和SI1303DL-T1-E3的区别

型号： SI1303DL-T1-GE3

品牌： Vishay Siliconix

封装： SC-70 P-Channel 20V 720mA

功能相似

MOSFET P-CH 20V 670mA SOT323-3

BSS209PW和SI1303DL-T1-GE3的区别