BSP129E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223

N-Channel 240V 350mA Ta 1.8W Ta Surface Mount PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

BSP129E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 240 V

额定电流 280 mA

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 4.1 ns

输入电容Ciss 108pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP129E6327引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BSP129E6327

型号	制造商	描述	购买
BSP129E6327	Infineon 英飞凌	MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223	搜索库存

替代型号BSP129E6327

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BSP129E6327 品牌： Infineon 英飞凌封装： SOT-223 240V 200mA	当前型号	MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223	当前型号
型号： BSP129L6327 品牌：英飞凌封装： SOT-223 N-Channel 240V 50mA 108pF	类似代替	240V,0.05A,N沟道功率MOSFET	BSP129E6327和BSP129L6327的区别
型号： BSP88L6327 品牌：英飞凌封装： SOT-223 N-Channel 240V 350mA 95pF	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 0.35A ID, 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4	BSP129E6327和BSP88L6327的区别
型号： BSP125 品牌：英飞凌封装： SOT-223 N-Channel 600V 120mA	功能相似	INFINEON BSP125 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V	BSP129E6327和BSP125的区别